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资料编号:485115
 
资料名称:MMDF2P02HD
 
文件大小: 257.25K
   
说明
 
介绍:
DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 20 VOLTS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMDF2P02HD
8
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
信息 为 使用 这 so–8 表面 挂载 包装
最小 推荐 footprint 为 表面 挂载 产品
表面mount board layout is 一个 critical portion of the 总的
设计. 这 footprint 为 这 半导体 包装 必须 是
correct size toensure proper solder connection interface
这 板和 这 包装. 和 这 准确无误的 垫子
geometry,包装 将 self–align 当 subjected 至 一个
焊盘 软熔焊接 处理.
mm
英寸
0.060
1.52
0.275
7.0
0.024
0.6
0.050
1.270
0.155
4.0
so–8 电源 消耗
电源 消耗 的 这 so–8 是 一个 函数 的 这 输入
垫子大小. 这个 能 相异 从 这 最小 垫子 大小 为
焊接至 这 垫子 大小 给 为 最大 电源
消耗.电源消耗 为 一个 表面 挂载 设备 是
决定T
j(最大值)
, 这 最大 评估 接合面
温度的 这 消逝, r
θ
JA
, 这 热的阻抗 从 这
设备接合面 至 包围的; 和 这 运行 温度,T
一个
.
使用这 值 提供 在 这 数据 薄板 为 这 so–8
包装, p
D
能 是 计算 作 跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
– t
一个
R
θ
JA
值 为 这 等式是 建立 在 这 最大
比率表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值 在
这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c, 一个 能
计算这 电源 消耗 的 这 设备 这个 在 这个 情况
是 2.0 watts.
P
D
=
150
°
c – 25
°
C
62.5
°
c/w
= 2.0 watts
62.5
°
c/w 为 这 so–8 包装 假设 这
推荐footprint 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板
至 达到 一个 电源 消耗 的 2.0 watts 使用 这 footprint
显示.另一 alternative 将 是 至 使用 一个 陶瓷的
基质或者 一个 铝 核心 板 此类 作 热的 clad
.
使用板 材料 此类 作 热的 clad, 这 电源
消耗 能 是 doubled 使用 这 一样 footprint.
焊接 预防措施
melting 温度 的 焊盘 是 高等级的 比 这 评估
温度 的 这 设备. 当 这 全部 设备 是 heated
一个 高 温度, 失败 至 完全 焊接 在里面 一个
短的时间 可以 结果 在 设备 失败. 因此, 这
下列的items 应当 总是 是 observed 在 顺序 至
降低这 热的 压力 至 这个 这 设备 是
subjected.
总是 preheat 这 设备.
这 delta 温度 在 这 preheat 和 焊接
应当 是 100
°
c 或者 较少.*
preheating 和 焊接, 这 温度 的 这
leads这 情况 必须 不 超过 这 最大
温度比率 作 显示 在 这 数据 薄板.
使用 infrared 加热 和 这 软熔焊接 焊接 方法,
这 区别 将要 是 一个 最大 的 10
°
c.
焊接 温度 和 时间 将要 不 超过
260
°
c 为 更多 比 10 秒.
shifting 从 preheating 至 焊接, 这 最大
温度 gradient 将要 是 5
°
c 或者 较少.
之后焊接 有 被 完成, 这 设备 应当 是
允许至 cool naturally 为 在 least 三分钟.
Gradual冷却 应当 是 使用 作 这 使用 的 强迫
冷却将 增加 这 温度 gradient 和结果
在 latent 失败 预定的 至 机械的 压力.
机械的压力 或者 shock 应当 不是 应用 在
冷却.
* 焊接一个 设备 没有 preheating 能 导致 过度的
热的shock 和 压力 这个 能 结果 在 损坏 至 这
设备.
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