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资料编号:485569
 
资料名称:MMUN2213LT1
 
文件大小: 146.66K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmun2211s–7/11
mmun2211lt1 序列
典型 电的 特性
MMUN2214LT1
图示 17. v
ce(sat)
vs. i
C
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
020406080
1
0.1
0.01
0.001
I
C
/i
B
= 10
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
V
ce(sat),
最大 集电级 电压
(伏特)
图示 18. 直流 电流 增益
1 10 100
I
C
, 集电级 电流 (毫安)


300
250
200
150
100
50
0
2 4 6 8 15 20 40 50 60 70 80 90
h
fe,
直流 电流 增益 (normalized)
25
°
C
T
一个
= 75
°
C
–25
°
C
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
024681015
20
25 30 35 40 45 50
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
图示 19. 输出 电容
f = 1 mhz
l
E
= 0 一个
T
一个
= 25
°
C
I
c,
集电级 电流 (毫安)
C
ob,
电容 (pf)
100
10
1
0246810
图示 20. 输出 电流 vs. 输入 电压
V
, 输入 电压 (伏特)
V
O
= 5 v
T
一个
= –25
°
C
75
°
C 25
°
C
10
1
0.1
01020304050
图示 21. 输入 电压 vs. 输出 电流
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
V
O
= 0.2 v
V
在,
输入 电压 (伏特)
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
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