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资料编号:485569
 
资料名称:MMUN2213LT1
 
文件大小: 146.66K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmun2211s–4/11
mmun2211lt1 序列
典型 电的 特性
MMUN2211LT1
100
10
1
0.1
0.01
0.001
01234
V
, 输入 电压 (伏特)
5678910

I
c,
集电级 电流 (毫安)
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
1000
100
10
1 10 100
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
50
010203040
4
3
1
2
0
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
f = 1 mhz
l
E
= 0 一个
T
一个
= 25
°
C
V
CE
= 10 v
图示 1. 减额 曲线
250
200
150
100
50
0
–50 0 50 100 150
T
一个
, 包围的 温度 (5
°
c)
图示 2. v
ce(sat)
vs. i
C
P
d,
电源 消耗 (毫瓦)
C
ob,
电容 (pf)
h
fe,
直流 电流 增益 (normalized)
R
θ
JA
= 625
°
c/w
T
一个
= 75
°
C
–25
°
C
25
°
C
1002030
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
10
1
0.1
40
50
图示 3. 直流 电流 增益
V
在,
输入 电压 (伏特)
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
V
O
= 0.2 v
1
0.1
0.01
0.001
020406080
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
I
C
/i
B
= 10
V
ce(sat),
最大 集电级 电压
(伏特)
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
图示 4. 输出 capcitance
图示 5. 输出 电流 vs. 输入 电压 图示 6. 输入 电压 vs. 输出 电流
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