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smart 5 激励 块 flash 记忆
8mb smart 5 激励 块 flash 记忆
5
micron 技术, 公司 reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
mt28f800b5_3.fm - rev. 3, pub. 8/2002 ©2002, micron 技术 公司
注释: 1.
l = v
IL
(低), h = v
IH
(高), x = v
IL
或者 v
IH
(“don’t care”).
2.
V
PPH
= 5v.
3.
运作 必须 是 preceded 用 擦掉 建制 command.
4.
运作 必须 是 preceded 用 写 建制 command.
5.
这 读 排列 command 必须 是 issued 在之前读 这 排列 之后 writing 或者 erasing.
6.
当 wp# = v
IH
, rp# 将 是 在 v
IH
或者 v
HH
.
7.
a1–a8, a10–a17 = v
IL
.
8.
值 reflects dq8–dq15.
真实 表格 (mt28f800b5)
1
函数 RP# CE# OE# WE# WP# BYTE# A0 A9 V
PP
DQ0–
DQ7
DQ8–
DQ14
dq15/
一个-1
备用物品
H H X X X X X X X 高-z 高-z 高-z
重置
L X X X X X X X X 高-z 高-z 高-z
读
读 (文字 模式)
H L L H X H X X X 数据-输出 数据-输出 数据-输出
读 (字节 模式)
H L L H X L X X X 数据-输出 高-z 一个-1
输出 使不能运转
H L H H X X X X X 高-z 高-z 高-z
写/擦掉 (除了 激励 块)
2
擦掉 建制
H L H L X X X X X 20h X X
擦掉 confirm
3
H L H L X X X X V
PPH
D0h X X
写 建制
H L H L X X X X X 10h/40h X X
写 (文字 模式)
4
H L H L X H X X V
PPH
数据-在 数据-在 数据-在
写 (字节 模式)
4
H L H L X L X X V
PPH
数据-在 X 一个-1
读 排列
5
H L H L X X X X X FFh X X
写/擦掉 (激励 块)
2
擦掉 建制
H L H L X X X X X 20h X X
擦掉 confirm
3
V
HH
L H L X X X X V
PPH
D0h X X
擦掉 confirm
3, 6
H L H L H X X X V
PPH
D0h X X
写 建制
H L H L X X X X X 10h/40h X X
写 (文字 模式)
4
V
HH
L H L X H X X V
PPH
数据-在 数据-在 数据-在
写 (文字 模式)
4, 6
H L H L H H X X V
PPH
数据-在 数据-在 数据-在
写 (字节 模式)
4
V
HH
L H L X L X X V
PPH
数据-在 X 一个-1
写 (字节 模式)
4, 6
H L H L H L X X V
PPH
数据-在 X 一个-1
读 排列
5
H L H L X X X X X FFh X X
设备 identification
7
生产者
兼容性 (文字
模式)
8
H L L H X H L V
ID
X 89h 00h –
生产者
兼容性 (字节
模式)
H L L H X L L V
ID
X 89h 高-z X
设备 (文字 模式, 顶
激励)
8
H L L H X H H V
ID
X 9Ch 88h –
设备 (字节 模式, 顶
激励)
H L L H X L H V
ID
X 9Ch 高-z X
设备 (文字 模式,
bottom 激励)
8
H L L H X H H V
ID
X 9Dh 88h –
设备 (字节 模式,
bottom 激励)
H L L H X L H V
ID
X 9Dh 高-z X
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