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smart 5 激励 块 flash 记忆
8mb smart 5 激励 块 flash 记忆
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micron 技术, 公司 reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
mt28f800b5_3.fm - rev. 3, pub. 8/2002 ©2002, micron 技术 公司
函数的 描述
这 mt28f800b5 和 mt28f008b5 flash memo-
ries 包含 一个 号码 的 特性 ideally suited 为
系统 firmware. 这 记忆 排列 是 segmented 在
单独的 擦掉 blocks. 各自 块 将 是 erased
没有 影响 数据 贮存 在 其它 blocks. 这些
记忆 blocks 是 读, 写 和 erased 和 com
-
mands 至 这 command 执行 逻辑 (cel). 这
cel 控制 这 运作 的 这 内部的 状态
机器 (ism), 这个 完全地 控制 所有 写,
块 擦掉, 和 核实 行动. 这 ism pro
-
tects 各自 记忆 location 从 在-erasure 和
optimizes 各自 记忆 location 为 最大 数据
保持. 在 增加, 这 ism 非常 使简化 这
控制 需要 为 writing 这 设备 在-系统 或者 在
一个 外部 programmer.
这 函数的 描述 提供 详细地 infor-
mation 在 这 运作 的 这 mt28f800b5 和
mt28f008b5 和 是 有组织的 在 这些 sections:
•Overview
• 记忆 architecture
• 输出 (读) 行动
•input 行动
• command 设置
•ism 状态 寄存器
• command 执行
• 错误 处理
•write/擦掉 循环 忍耐力
•power 用法
•power-向上
OVERVIEW
smart 5 技术 (b5)
smart 5 运作 准许 最大 flexibility 为 在-
系统 读, 写 和 擦掉 行动. 写
和 擦掉 行动 将 是 executed 和 一个 v
PP
电压 的 3.3v 或者 5v. 预定的 至 处理 技术
advances, 5v v
PP
是 最优的 为 应用 和 pro-
duction 程序编制. 为 任何 运作, v
CC
是 在 5v.
eleven independently eraseable
记忆 blocks
这 mt28f800b5 和 mt28f008b5 是 有组织的
在 eleven independently 可擦掉的 记忆 blocks
那 准许 portions 的 这 记忆 至 是 erased 和
-
输出 影响 这 rest 的 这 记忆 数据. 一个 特定的
激励 块 是 硬件-保护 相反 inadvertent
erasure 或者 writing 用 需要 也 一个 超级的-电压
在 这 rp# 管脚 或者 驱动 这 wp# 管脚 高. (这 wp#
管脚 做 不 应用 至 这 sop 包装.) 一个 的 这些
二 情况 必须 exist, along 和 这 v
PP
电压
(5v) 在 这 v
PP
管脚, 在之前 一个 写 或者 擦掉 是 每-
formed 在 这 激励 block. 这 remaining blocks
需要 那 仅有的 这 v
PP
电压 是 呈现 在 这 v
PP
管脚 在之前 writing 或者 erasing.
硬件-保护 激励 块
这个 块 的 这 记忆 排列 能 是 erased 或者
写 仅有的 当 这 rp# 管脚 是 带去 至 v
HH
或者 当
这 wp# 管脚 是 brought 高. (这 wp# 管脚 做 不
应用 至 这 sop 包装.) 这个 提供 额外的
安全 为 这 核心 firmware 在 在-系统 firm
-
ware updates 应当 一个 unintentional 电源 fluctua-
tion 或者 系统 重置 出现. 这 mt28f800b5 和
mt28f008b5 是 有 和 这 激励 块 开始
在 这 bottom 的 这 地址 空间 (“b” 后缀) 或者 这
顶 的 这 地址 空间 (“t” 后缀).
可选择的 总线 大小 (mt28f800b5)
这 mt28f800b5 准许 选择 的 一个 8-位 (1 meg
x 8) 或者 16-位 (512k x 16) 数据 总线 为 读 和 writ
-
ing 这 记忆. 这 byte# 管脚 是 使用 至 选择 这
总线 宽度. 在 这 x16 配置, 控制 数据 是
读 或者 写 仅有的 在 这 更小的 8 位 (dq0–dq7).
数据 写 至 这 记忆 排列 运用 所有 起作用的
数据 管脚 为 这 选择 配置. 当 这 x8
配置 是 选择, 数据 是 写 在 字节 表格;
当 这 x16 配置 是 选择, 数据 是 写
在 文字 表格.
内部的 状态 机器 (ism)
块 擦掉 和 字节/文字 写 定时 是
simplified 和 一个 ism 那 控制 所有 擦掉 和 写
algorithms 在 这 记忆 排列. 这 ism 确保 pro
-
tection 相反 在-erasure 和 optimizes 写 三月-
gin 至 各自 cell.
在 写 行动, 这 ism automatically
increments 和 monitors 写 attempts, 核实
写 余裕 在 各自 记忆 cell 和 updates 这
ism 状态 寄存器. 当 块 擦掉 是 执行,
这 ism automatically overwrites 这 全部 addressed
块 (排除 在-erasure), increments 和 moni
-
tors 擦掉 attempts, 和 sets 位 在 这 ism 状态
寄存器.
ism 状态 寄存器
这 ism 状态 寄存器 使能 一个 外部 proces-
sor 至 监控 这 状态 的 这 ism 在 写 和
擦掉 行动. 二 位 的 这 8-位 状态 寄存器
是 设置 和 cleared 全部地 用 这 ism. 这些 位 indi
-
cate whether 这 ism 是 busy 和 一个 擦掉 或者 写
task 和 当 一个 擦掉 有 被 suspended. addi
-
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