MTB50P03HDL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
信息 为 使用 这 d
2
pak 表面 挂载 包装
推荐 footprint 为 表面 挂载 产品
表面 挂载 板 布局 是 一个 核心的 portion 的 这 总的
设计. 这 footprint 为 这 半导体 包装 必须 是
这 准确无误的 大小 至 确保 恰当的 焊盘 连接 接口
在 这 板 和 这 包装. 和 这 准确无误的 垫子
geometry, 这 包装 将 自 排整齐 当 subjected 至 一个
焊盘 软熔焊接 处理.
mm
英寸
0.74
18.79
0.065
1.651
0.07
1.78
0.14
3.56
0.330
8.38
0.420
10.66
电源 消耗 为 一个 表面 挂载 设备
这 电源 消耗 为 一个 表面 挂载 设备 是 一个
函数 的 这 流 垫子 大小. 这些 能 相异 从 这
最小 垫子 大小 为 焊接 至 一个 垫子 大小 给 为
最大 电源 消耗. 电源 消耗 为 一个 表面
挂载 设备 是 决定 用 t
j(最大值)
, 这 最大 评估
接合面 温度 的 这 消逝, r
θ
JA
, 这 热的 阻抗
从 这 设备 接合面 至 包围的, 和 这 运行
温度, t
一个
. 使用 这 值 提供 在 这 数据 薄板,
P
D
能 是 计算 作 跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
– t
一个
R
θ
JA
这 值 为 这 等式 是 建立 在 这 最大
比率 表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值 在
这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c, 一个 能
计算 这 电源 消耗 的 这 设备. 为 一个 d
2
PAK
设备, p
D
是 计算 作 跟随.
P
D
=
150
°
c – 25
°
C
50
°
c/w
= 2.5 watts
这 50
°
c/w 为 这 d
2
pak 包装 假设 这 使用 的 这
推荐 footprint 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板
至 达到 一个 电源 消耗 的 2.5 watts. 那里 是 其它
alternatives 至 实现 高等级的 电源 消耗 从 这
表面 挂载 包装. 一个 是 至 增加 这 范围 的 这
流 垫子. 用 增加 这 范围 的 这 流 垫子, 这 电源
消耗 能 是 增加. 虽然 一个 能 almost 翻倍
这 电源 消耗 和 这个 方法, 一个 将 是 给 向上
范围 在 这 打印 电路 板 这个 能 defeat 这 目的
的 使用 表面 挂载 技术. 为 例子, 一个 图表 的
R
θ
JA
相比 流 垫子 范围 是 显示 在 图示 17.
图示 17. 热的 阻抗 相比 流 垫子
范围 为 这 d
2
pak 包装 (典型)
2.5 watts
一个, 范围 (正方形的 英寸)
板 材料 = 0.0625
″
g–10/fr–4, 2 oz 铜
T
一个
= 25
°
C
60
70
50
40
30
20
1614121086420
3.5 watts
5 watts
至 包围的 ( c/w)
°
R
JA
, 热的 阻抗, 接合面
θ
另一 alternative 将 是 至 使用 一个 陶瓷的 基质 或者
一个 铝 核心 板 此类 作 热的 clad
. 使用 一个
板 材料 此类 作 热的 clad, 一个 铝 核心
板, 这 电源 消耗 能 是 doubled 使用 这 一样
footprint.
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