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资料编号:491862
 
资料名称:MTD6N20E
 
文件大小: 269.66K
   
说明
 
介绍:
TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MTD6N20E
10
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
包装 维度
情况 369a–13
公布 w
样式 2:
管脚 1.
2.
3.
4.
D
一个
K
B
R
V
S
F
L
G
2 pl
M
0.13 (0.005) T
E
C
U
J
H
–T–
SEATING
平面
Z
DIM 最小值 最大值 最小值 最大值
MILLIMETERSINCHES
一个
0.235 0.250 5.97 6.35
B
0.250 0.265 6.35 6.73
C
0.086 0.094 2.19 2.38
D
0.027 0.035 0.69 0.88
E
0.033 0.040 0.84 1.01
F
0.037 0.047 0.94 1.19
G
0.180 bsc 4.58 bsc
H
0.034 0.040 0.87 1.01
J
0.018 0.023 0.46 0.58
K
0.102 0.114 2.60 2.89
L
0.090 bsc 2.29 bsc
R
0.175 0.215 4.45 5.46
S
0.020 0.050 0.51 1.27
U
0.020 ––– 0.51 –––
V
0.030 0.050 0.77 1.27
Z
0.138 ––– 3.51 –––
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
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有关联的和 此类 非计划的 或者 unauthorized 使用, 甚至 如果 此类 claim alleges 那 motorola 是 negligent 关于 这 设计 或者 制造 的 这 部分.
motorola 和 是 注册 商标 的 motorola, 公司 motorola, 公司 是 一个 equal opportunity/affirmative action employer.
literature 分发 centers:
usa: motorola literature 分发; p.o. 盒 20912; phoenix, arizona 85036.
欧洲: motorola 有限公司.; european literature centre; 88 tanners 驱动, blakelands, milton keynes, mk14 5bp, england.
JAP一个: nippon motorola 有限公司.; 4–32–1, nishi–gotanda, shinagawa–ku, tokyo 141, 日本.
asia pacific: motorola 半导体 h.k. 有限公司.; 硅 harbour 中心, 非. 2 dai king 街道, tai po 工业的 estate, tai po, n.t., 香 港.
mtd6n20e/d
*mtd6n20e/d*
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