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资料编号:491862
 
资料名称:MTD6N20E
 
文件大小: 269.66K
   
说明
 
介绍:
TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MTD6N20E
6
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
safe 运行 范围
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
, 单独的 脉冲波 drain–to–source
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
avalanche 活力 (mj)
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
= 6 一个
t, 时间 (s)
图示 13. 热的 回馈
r(t), normalized 有效的
瞬时 热的 阻抗
图示 14. 二极管 反转 恢复 波形
di/dt
t
rr
t
一个
t
p
I
S
0.25 i
S
时间
I
S
t
b
100
10
1.0
0.1
1000101.00.1
60
50
40
30
20
0
25 50 75 100 125 150
1.0e–05 1.0e–04 1.0e–03 1.0e–02 1.0e–01 1.0e+00 1.0e+01
100
10
100
µ
s
10
µ
s
1 ms
10 ms
直流
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
1
0.1
0.01
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JC
(t) = r(t) r
θ
JC
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
单独的 脉冲波
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