MTP23P06V
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
0 2 4 6 8 10
0
10
20
30
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
30
35
2 3 4 8
0
5
10
15
40
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 5 10 15 20 25
0.14
0.02
0.04
0.06
0.12
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 5 10 15 20 30
0.08
0.085
0.09
0.095
0.11
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
–50
0
0.2
0.4
0.6
1.8
0 10 20 30 40
1
50
10
100
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 125
°
C
15 v
–25 0 25 50 75 100 150
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 11.5 一个
40
50
7 v
6 v
5 v
4 v
8 v
9 v
20
25
5 6 7
0.08
0.1
30
0.1
0.105
25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
125
60
0.16
35 40 45 35 40 45 50
0.115
0.12
175
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