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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
TMOS V
电源 地方 效应 晶体管
p–channel enhancement–mode 硅 门
TMOSv 是 一个 新 技术设计 至 达到 一个 on–resis-
tance范围 产品 关于 one–half 那 的 标准 场效应晶体管s. 这个
新技术 更多 比 doubles 这 呈现 cell 密度 的我们的
50一个nd 60 volt tMOs devices. j美国t 一个s w它h our tMOSE–FET
设计,TMOSv is designed to withstand high energy in the
avalanche和 commutation 模式. 设计 为 低 电压, 高
速switching 一个pplications in power supplies, converters 一个nd
电源 发动机 控制, 这些 设备 是 特别 好 suited 为
桥电路 在哪里 二极管速 和 commutating safe 运行
areas一个re critical 一个nd offer 一个dditional safety margin 一个gainst
unexpected 电压 过往旅客.
新 特性 的 tmos v
•
on–resistance 范围 产品 关于 one–half 那 的 标准
mosfets 和 新 低 电压, 低 r
ds(在)
技术
•
faster 切换 比 e–fet predecessors
特性 一般 至 tmos v 和 tmos e–fets
•
avalanche 活力 指定
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
静态的 参数 是 这 一样 为 两个都 tmos v 和
tmos e–fet
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain–to–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
60 Vdc
gate–to–source 电压 — 持续的
gate–to–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
15
±
25
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的 @ 25
°
C
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
23
15
81
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
90
0.60
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vdc, 顶峰 i
L
= 23 apk, l = 3.0 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
794 mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
1.67
62.5
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representingboundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
e–fet, 设计者’s 和 tmos v 是 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 1
顺序 这个 文档
用 mtp23p06v/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
tmos 电源 场效应晶体管
23 amperes
60 伏特
R
ds(在)
= 0.120 ohm
motorola preferred 设备
D
S
G
情况 221a–06, 样式 5
TO–220AB
TM
MTP23P06V
motorola, 公司 1996
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