MTY30N50E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 250
µ
一个)
温度 系数 (积极的)
V
(br)dss
500
—
—
566
—
—
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 500 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 500 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
—
—
—
—
10
200
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0) I
GSS
— — 100 nAdc
在 特性 (1)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
模数转换器)
门槛 温度 系数 (负的)
V
gs(th)
2
—
—
7
4
—
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain–source on–resistance (v
GS
= 10 vdc, i
D
= 15 模数转换器) R
ds(在)
— — 0.15 Ohm
drain–source on–voltage (v
GS
= 10 vdc)
(i
D
= 30 模数转换器)
(i
D
= 15 模数转换器, t
J
= 125
°
c)
V
ds(在)
—
—
4.1
—
5
7
Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 15 vdc, i
D
= 15 模数转换器) g
FS
17 — — mhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1 mhz)
C
iss
— 7200 10080 pF
输出 电容
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1 mhz)
C
oss
— 775 1200
反转 转移 电容
f = 1 mhz)
C
rss
— 120 250
切换 特性 (2)
turn–on 延迟 时间
(v
DD
= 250 vdc, i
D
= 30 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 4.7
Ω
)
t
d(在)
— 32 60 ns
上升 时间
(v
DD
= 250 vdc, i
D
= 30 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 4.7
Ω
)
t
r
— 105 175
turn–off 延迟 时间
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 4.7
Ω
)
t
d(止)
— 160 275
下降 时间
G
= 4.7
Ω
)
t
f
— 115 200
门 承担
(看 图示 8)
(v
DS
= 400 vdc, i
D
= 30 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
T
— 235 350 nC
(看 图示 8)
(v
DS
= 400 vdc, i
D
= 30 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
1
— 35 —
(v
DS
= 400 vdc, i
D
= 30 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
2
— 110 —
Q
3
— 65 —
source–drain 二极管 特性
向前 on–voltage
(i
S
= 30 模数转换器, v
GS
= 0 vdc)
(i
S
= 30 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
V
SD
—
—
0.95
0.88
1.2
—
Vdc
反转 恢复 时间
(看 图示 14)
(i
S
= 30 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
rr
— 485 —
ns
(看 图示 14)
(i
S
= 30 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
一个
— 312 —
(i
S
= 30 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
b
— 173 —
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
— 8.2 —
µ
C
内部的 包装 电感
内部的 流 电感
(量过的 从 这 流 含铅的 0.25
″
从 包装 至 中心 的 消逝)
L
D
— 4.5 — nH
内部的 源 电感
(量过的 从 这 源 含铅的 0.25
″
从 包装 至 源 bond 垫子)
L
S
— 13 — nH
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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