MTY30N50E
3
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
10000
1000
100
10
1
0 200 300 400 500
100
°
C
25
°
C
2.5
2
1.5
1
0.5
0
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 10 v
I
D
= 15 一个
0.17
0.16
0.15
0.14
0.13
0.12
I
D
, 流 电流 (放大器)
15 v
0.35
0.3
0.25
0.2
0.05
0
0 20 40 60503010
60
0
0 2 4 6 8 10 12
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
0
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
V
DS
≥
10 v
V
GS
= 10 v
T
J
= 100
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 0 v
50
40
30
20
60
50
40
30
20
10
2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
0 20 40 60503010
T
J
= 125
°
C
10
0.15
0.1
100
6 v
8 v
5 v
4 v
25
°
C
T
J
= – 55
°
C
100
°
C
25
°
C
: 点此下载
