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资料编号:513267
 
资料名称:ND2012L
 
文件大小: 76.96K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistors
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nd2012l/2020l
2 Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
规格
一个
限制
ND2012L ND2020L
参数 标识 测试 情况 Typ
b
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
损坏 电压 V
(br)dsv
V
GS
= –8 v, i
D
= 10
一个 220 200
流-源 损坏 电压 V
(br)dsv
V
GS
= –5 v, i
D
= 10
一个 220 200
V
门-源 截止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 5 v, i
D
= 10
一个
–1.5 –4 –0.5 –2.5
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
10
10
nagate-身体 泄漏 I
GSS
=

50
50
nA
V
DS
= 160 v, v
GS
= –8 v 1
截止 电流 I
d(止)
=

200
adrain 截止 电流 I
d(止)
V
DS
= 160 v, v
GS
= –5 v 1
一个
=

200
流-饱和 电流
c
I
DSS
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v 300 30 30 毫安
V
GS
= 2 v, i
D
= 20 毫安 7
流-源 在-阻抗
c
r
ds(在)
V
GS
= 0 v, i
D
= 20 毫安 8 12 20
=

12.6 30 50
向前 跨导
c
g
fs
V
DS
=75 VI
D
=20mA
55 mS
一般 源 输出 conductance
c
g
os
V
DS
= 7.5 v, i
D
=20毫安
75
S
动态
输入 电容 C
iss
35 100 100
输出 电容 C
oss
V
DS
= 25 v, v
GS
= –5 v, f = 1 mhz
10 20 20
pF
反转 转移 电容 C
rss
2 5 5
切换
d
转变-在 时间
t
d(在)

20
转变-在 时间
t
r


25

 
20


 
20
ns
转变-的f 时间
t
d(止)
20




10
ns
转变-止 时间
t
f
10
注释
一个. T
一个
= 25
c 除非 否则 指出. VDDQ20
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
d. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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