nd2012l/2020l
Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
3
典型 特性 (25
c 除非 否则 指出)
输出 特性 (nd2020)
在-阻抗 和 流 电流
vs. 门-源 截止 电压
在-阻抗 vs. draincurrent
转移 特性 (nd2012)
V
GS
– 门-源 电压 (v) V
GS
– 门-源 电压 (v)
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (一个)
I
D
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v) V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
输出 特性 (nd2012)
转移 特性 (nd2020)
– 流 电流 (毫安)
I
D
V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v) I
D
– 流 电流 (毫安)
100
80
60
0
0 0.4 2
40
20
0.8 1.2 1.6
0 v
–1 v
–1.5 v
–2 v
–0.5 v
–2.5 v
500
400
300
0
–4.5 –3.5 0.5
200
100
–2.5 –1.5 –0.5
125
C
T
C
= –55
C
100
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
80
60
40
20
0
0.2 v
–0.2 v
0 v
–0.4 v
–0.6 v
–0.8 v
–1 v
–1.4 v
–1.2 v
200
160
120
80
40
0
–4.5 –3.5 –2.5 –1.5 –0.5 0.5
–55
C
T
C
= 125
C
25
20
15
0
0–1 –5
10
5
–2 –3 –4
1000
800
600
0
400
200
r
ds(在)
I
DSS
r
DS
@ i
D
= 20 毫安, v
GS
= 0 v
I
DSS
@ v
DS
= 7.5 v, v
GS
= 0 v
10 100 1 k
25
20
0
15
10
5
ND2020
ND2012
V
GS
= 0 v
– 流 电流 (毫安)
I
DSS
25
C
25
C
V
DS
= 10 vv
DS
= 10 v
V
GS
= 2 v
V
GS
= 5 v
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
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