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资料编号:513394
 
资料名称:NDC7001C
 
文件大小: 284.59K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndc7001c.sam
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.88
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
1.16
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.001
0.01
0.1
0.5
1
1.5
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 0.51a
D
v = 25v
DS
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
1
2
5
10
20
50
100
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 7.n-频道损坏 电压 变化
和 温度.
图示 8.n-频道身体 二极管 向前 电压
变化 和 电流 和 温度
.
图示 9.n-频道电容 特性.
图示 10.n-频道门 承担 特性.
典型 电的 特性: n-频道(持续)
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
图示 11.n-频道跨导 变化
和 流 电流 和 温度.
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