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资料编号:513394
 
资料名称:NDC7001C
 
文件大小: 284.59K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndc7001c.sam
-6-5-4-3-2-10
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
-6.0
DS
D
v = -10v
GS
-9.0
-8.0
-5.0
-4.0
-7.0
-3.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = -10v
GS
i = -0.34a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = -250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
-1-0.8-0.6-0.4-0.2
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v =-4.5v
GS
D
-7.0
r , normalized
ds(在)
-6.0
-5.0
-10
-9.0
-8.0
-1-0.8-0.6-0.4-0.2
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v =-10 v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
典型 电的 特性: p-频道(持续)
图示 12.p-频道在-区域 特性.
图示 13.p-频道在-阻抗 变化 with
门 电压 和 流 电流.
图示 14.p-频道在-阻抗 变化
温度.
图示 15.p-频道在-阻抗 变化 和
流 电流 和 温度.
图示 16.p-频道转移 特性. 图示 17.p-频道门 门槛 变化
和 温度.
-8-7-6-5-4-3-2-1
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v =- 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
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