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资料编号:513805
 
资料名称:NDS8958
 
文件大小: 354.63K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds8958 rev. c
典型 电的 特性: n-频道
图示 1. n-频道 在-区域 典型的. 图示 2. n-频道 在-阻抗 变化 with
门 电压 和 流 电流.
图示 3. n-频道 在-阻抗 变化
温度.
图示 4. n-频道 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 温度.
图示 5. n-频道 转移 典型的.
图示 6.n-频道门 门槛 变化
和 温度.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
5
10
15
20
25
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
v =10v
GS
6.0
4.0
3.5
3.0
5.0
4.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v =10v
GS
i = 5.3a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = 250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
0 5 10 15 20 25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
r , normalized
ds(在)
v = 3.0v
GS
D
4.0
10
6.0
4.5
5.0
3.5
0 5 10 15 20 25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
v = 10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
r , normalized
ds(在)
1 2 3 4 5 6
0
5
10
15
20
25
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J 25°C
125°C
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