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资料编号:513805
 
资料名称:NDS8958
 
文件大小: 354.63K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds8958 rev. c
典型 电的 特性: p-频道(持续)
图示 12.p-频道在-区域 特性. 图示 13.p-频道在-阻抗 变化
with门 电压 和 流 电流.
图示 14.p-频道在-阻抗 变化
温度.
图示 15.p-频道在-阻抗 变化 和
流 电流 和 温度.
图示 16.p-频道转移 特性. 图示 17.p-频道门 门槛 变化
和 温度.
-4-3-2-10
-20
-15
-10
-5
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = -10v
GS
DS
D
-4.0
-6.0
-5.0
-3.5
-3.0
-4.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = -10v
GS
i = -4.0a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
i = -250µa
D
v = v
DS
GS
J
v , normalized
th
-20-16-12-8-40
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -3.5v
GS
-10
-5.0
-6.0
- 4.0
-4.5
-6-5-4-3-2-1
-20
-15
-10
-5
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = -10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
25°C
125°C
-20-16-12-8-40
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
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