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资料编号:513821
 
资料名称:NDS336P
 
文件大小: 77.5K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 源 电流 -0.42 一个
I
SM
最大 搏动流-源 二极管 向前 电流 -10 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= -0.42(便条 2) -0.65 -1.2 V
注释:
1. R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lde 挂载 表面 的 这 流 管脚.R
θ
JC
是 有保证的
设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
典型R
θ
JA
使用 这 板 layouts 显示 在下 在 4.5"x5" fr-4 pcb 在 一个安静的 空气 环境:
一个. 250
o
c/w 当 挂载 在 一个 0.02
2
垫子 的 2oz 铜.
b. 270
o
c/w 当 挂载 在 一个 0.001
2
垫子 的 2oz 铜.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300µs, 职责 循环<2.0%.
nds336p rev. e
P
D
(
t
)
=
T
J
T
一个
R
θ
J一个
(
t
)
=
T
J
T
一个
R
θ
JC
+
R
θ
C一个
(
t
)
=
I
D
2
(
t
)
×
R
DS
(
ON
)
@
T
J
1a 1b
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