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资料编号:513821
 
资料名称:NDS336P
 
文件大小: 77.5K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nds336p rev. d
图示 7. 损坏 电压变化 和
温度
.
图示 8. 身体 二极管 向前 电压变化
和 源 电流 和
温度
.
典型 电的 特性(持续)
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
输出
V
GS
DUT
R
GEN
图示 9.电容 特性
.
图示 10. 门 承担 特性
.
图示 11.切换 测试 电路
.
图示 12.切换 波形.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = - 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
v = 0v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
SD
S
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
40
60
100
200
300
500
800
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
iss
C
rss
0 2 4 6 8
0
1
2
3
4
5
q , 门 承担 (nc)
-v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = -1.2a
D
v = -5v
DS
-10v
-15v
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
V
输出
d(止)
f
r
d(在)
t t
t
tt
t
INVERTED
10%
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