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资料编号:513862
 
资料名称:NDS8435A
 
文件大小: 329.92K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v
-1 µ一个
T
J
= 55°c
-10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa -1 -1.3 -3 V
T
J
= 125°c
-0.7 -1 -2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= -10 v,I
D
= -7.9一个 0.02 0.023
T
J
= 125°c
0.027 0.041
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -6.5一个
0.03 0.035
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= -10 v, v
DS
= -5 v
-25 一个
V
GS
= -4.5, v
DS
= -5 v
-10
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -10 v, i
D
= -7.9 一个
-17 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= -15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1800 pF
C
oss
输出 电容 950 pF
C
rss
反转 转移 电容 240 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= -10v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -10 v, r
GEN
= 6
11 22 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 20 35 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 95 180 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 46 100 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= -15v,
I
D
= -7.9一个, v
GS
= -10 v
48 67 nC
Q
gs
门-源 承担 6 nC
Q
gd
门-流 承担 12 nC
nds8435a rev.c
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