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资料编号:513862
 
资料名称:NDS8435A
 
文件大小: 329.92K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds8435a rev.c
1
-3-2.5-2-1.5-1-0.50
-30
-24
-18
-12
-6
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-6.0
v =-10v
GS
-4.5
-25-20-15-10-50
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v =-3.5v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-5.0
-4.5
-4.0
-10
-7.0
-6.0
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压
.
典型 电的 特性
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = -10v
GS
i = -7.9a
D
-25-20-15-10-50
0
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
.
-4-3.5-3-2.5-2-1.5-1
-25
-20
-15
-10
-5
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = -10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
125°C
25°C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
v , normalized
gs(th)
i =-250µa
D
v = v
GS
DS
图示 5. 转移 charateristics
.
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度
.
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