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手机版
资料编号:514136
资料名称:
NE5500179A
文件大小: 66.75K
说明
:
介绍
:
SILICON POWER MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 pu10118ej01v1ds
3
NE5500179A
典型 特性 (t
一个
= +25
°
°°
°
c)
V
GS
= 10 v 最大值
步伐 = 1.0 v
流 电流 vs.
流 至 源 电压
流 电流 i
D
(一个)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
3.5
1.0
1.5
3.0
2.0
2.5
0.5
0
1614121086
24
V
DS
= 4.8 v
设置 流 电流 vs.
门 至 源 电压
设置 流 电流 i
Dset
(毫安)
门 至 源 电压 v
GS
(v)
1 000
10
100
1
0.1
3.02.52.01.51.0
V
DS
= 4.8 v
I
Dset
= 100 毫安
f = 1.9 ghz
P
输出
I
D
输出 电源 p
输出
(dbm)
流 电流 i
D
(毫安)
输入 电源 p
在
(dbm)
输出 电源, 流 电流
vs. 输入 电源
35
20
30
25
15
10
500
400
300
200
100
0
302515105
020
V
DS
= 4.8 v
I
Dset
= 100 毫安
f = 1.9 ghz
d
η
增加
η
100
50
0
30252015105
流 效率
d
(%)
η
电源 增加 效率
增加
(%)
η
输入 电源 p
在
(dbm)
流 效率, 电源 增加
效率 vs. 输入 电源
V
DS
= 4.8 v
f = 1.9 ghz
P
在
= 20 dbm
P
输出
I
D
输出 电源 p
输出
(dbm)
流 电流 i
D
(毫安)
门 至 源 电压 v
GS
(v)
输出 电源, 流 电流
vs. 门 至 源 电压
31
28
30
29
27
26
500
400
300
200
100
0
4.02.01.00.0
3.0
V
DS
= 4.8 v
f = 1.9 ghz
P
在
= 20 dbm
100
50
0
4.03.02.01.0
流 效率
d
(%)
η
电源 增加 效率
增加
(%)
η
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 效率, 电源 增加
效率 vs. 门 至 源 电压
d
η
增加
η
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