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资料编号：514136
 
资料名称：NE5500179A
 
文件大小： 66.75K
   
说明：
 
介绍:
SILICON POWER MOS FET
 
 


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4
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 pu10118ej01v1ds
5
NE5500179A
V
DS
= 3.0 v
I
Dset
= 100 毫安
f = 2.45 ghz
P
输出
I
D
输出 电源 p
输出
(dbm)
流 电流 i
D
(毫安)
输入 电源 p
在
(dbm)
输出 电源, 流 电流
vs. 输入 电源
30
15
25
20
10
5
500
400
300
200
100
0
302515105020
V
DS
= 3.5 v
I
Dset
= 100 毫安
f = 850 mhz
P
输出
I
D
输出 电源 p
输出
(dbm)
流 电流 i
D
(毫安)
输入 电源 p
在
(dbm)
输出 电源, 流 电流
vs. 输入 电源
30
15
25
20
10
5
500
400
300
200
100
0
25201050
–
515
V
DS
= 3.5 v
I
Dset
= 100 毫安
f = 850 mhz
d
η
增加
η
100
50
0
2520151050
–
5
流 效率
d
(%)
η
电源 增加 效率
增加
(%)
η
输入 电源 p
在
(dbm)
流 效率, 电源 增加
效率 vs. 输入 电源
V
DS
= 4.5 v
f = 460 mhz
P
在
= 15 dbm
P
输出
I
D
输出 电源 p
输出
(dbm)
流 电流 i
D
(毫安)
门 至 源 电压 v
GS
(v)
输出 电源, 流 电流
vs. 门 至 源 电压
30
10
5
25
20
15
0
600
500
400
300
200
100
0
4.02.01.0 3.0
V
DS
= 4.5 v
f = 460 ghz
P
在
= 15 dbm
100
50
0
4.03.02.01.0
流 效率
d
(%)
η
电源 增加 效率
增加
(%)
η
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 效率, 电源 增加
效率 vs. 门 至 源 电压
d
η
增加
η
V
DS
= 3.0 v
I
Dset
= 100 毫安
f = 2.45 ghz
100
50
0
30252015105
流 效率
d
(%)
η
电源 增加 效率
增加
(%)
η
输入 电源 p
在
(dbm)
流 效率, 电源 增加
效率 vs. 输入 电源
d
η
增加
η
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