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nm27c128 131,072-位 (16k x 8) 高 效能 cmos 非易失存储器
函数的 描述
(持续)
程序 核实
一个 核实 应当 是 执行 在 这 编写程序 位 至 决定
whether 它们 是 correctly 编写程序. 这 核实 将 是
执行 和 v
PP
在 12.75v. v
PP
必须 是 在 v
CC
, 除了 在
程序编制 和 程序 核实.
之后 程序编制
opaque labels 应当 是 放置 在 这 非易失存储器 window 至
阻止 unintentional erasure. covering 这 window 将 也
阻止 temporary 函数的 失败 预定的 至 这 一代 的 photo
电流.
生产者’s identification 代号
这 非易失存储器 有 一个 生产者’s identification 代号 至 aid 在
程序编制. 当 这 设备 是 inserted 在 一个 非易失存储器 pro-
grammer 插座, 这 programmer 读 这 代号 和 然后
automatically calls 向上 这 明确的 程序编制 algorithm 为 这
部分. 这个 自动 程序编制 控制 是 仅有的 可能 和
programmers 这个 有 这 能力 的 读 这 代号.
这 生产者’s identification 代号, 显示 在 表格 2, specifi-
cally identifies 这 制造 和 设备 类型. 这 代号 为
nm27c128 是 “8f83”, 在哪里 “8f” designates 那 它 是 制造 用
仙童 半导体, 和 “83” designates 一个 128k 部分.
这 代号 是 accessed 用 应用 12v
±
0.5v 至 地址 管脚 a9.
地址 a1–a8, a10–a13, 和 所有 控制 管脚 是 使保持 在 v
IL
.
地址 管脚 a0 是 使保持 在 v
IL
为 这 生产者’s 代号, 和 使保持
在 v
IH
为 这 设备 代号. 这 代号 是 读 在 这 第八 数据 管脚,
o0 –o7 . 恰当的 代号 进入 是 仅有的 有保证的 在 25
°
c 至
±
5
°
c.
erasure 特性
这 erasure 特性 的 这 设备 是 此类 那 erasure
begins 至 出现 当 exposed 至 明亮的 和 wavelengths shorter
比 大概 4000 angstroms (Å). 它 应当 是 指出 那
sunlight 和 确实 类型 的 fluorescent lamps 有 wavelengths
在 这 3000Å – 4000Å 范围.
这 推荐 erasure 程序 为 这 非易失存储器 是 expo-
确信 至 短的 波 ultraviolet 明亮的 这个 有 一个 wavelength 的
2537Å. 这 整体的 剂量 (i.e., uv 强烈 x 暴露 时间) 为
erasure 应当 是 一个 最小 的 15w-秒/cm
2
.
这 非易失存储器 应当 是 放置 在里面 1 inch 的 这 lamp tubes
在 erasure. 一些 lamps 有 一个 过滤 在 它们的 tubes 这个
应当 是 移除 在之前 erasure. 表格 1 显示 这 最小
非易失存储器 erasure 时间 为 各种各样的 明亮的 intensities.
一个 erasure 系统 应当 是 校准 periodically. 这 距离
从 lamp 至 设备 应当 是 maintained 在 一个 inch. 这 erasure
时间 增加 作 这 正方形的 的 这 距离 从 这 lamp (如果
距离 是 doubled 这 erasure 时间 增加 用 因素 的 4).
lamps lose 强烈 作 它们 age. 当 一个 lamp 是 changed, 这
距离 有 changed, 或者 这 lamp 有 aged, 这 系统 应当
是 审查 至 制造 确实 全部 erasure 是 occurring. incomplete
erasure 将 导致 symptoms 那 能 是 misleading. 程序-
mers, 组件, 和 甚至 系统 设计 有 被 errone-
ously suspected 当 incomplete erasure 是 这 问题.
系统 仔细考虑
这 电源 切换 特性 的 eproms 需要 细致的
解耦 的 这 设备. 这 供应 电流, i
CC
, 有 三
部分 那 是 的 interest 至 这 系统 设计者: 这 备用物品
电流 水平的, 这 起作用的 电流 水平的, 和 这 瞬时 电流
顶峰 那 是 生产 用 电压 transitions 在 输入 管脚. 这
巨大 的 这些 瞬时 电流 顶峰 是 依赖 的 这
输出 电容 加载 的 这 设备. 这 有关联的 v
CC
瞬时 电压 顶峰 能 是 suppressed 用 合适的 选择
解耦 电容. 它 是 推荐 那 在 least 一个 0.1
µ
F
陶瓷的 电容 是 使用 在 每 设备 在 v
CC
和
地. 这个 应当 是 一个 高 频率 电容 的 低 固有的
电感. 在 增加, 在 least 一个 4.7
µ
f 大(量) electrolytic 电容
应当 是 使用 在 v
CC
和 地 为 各自 第八 设备. 这
大(量) 电容 应当 是 located near 在哪里 这 电源 供应 是
连接 至 这 排列. 这 目的 的 这 大(量) 电容 是 至
克服 这 电压 漏出 造成 用 这 inductive 影响 的 这
pc 板 查出.
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