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nm27c128 131,072-位 (16k x 8) 高 效能 cmos 非易失存储器
电容
T
一个
= +25
°
c, f = 1 mhz (便条 2)
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 6 12 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0v 9 12 pF
交流 测试 情况
输出 加载 1 ttl 门 和 c
L
= 100 pf (便条 8)
输入 上升 和 下降 时间
≤
5 ns
输入 脉冲波 水平 0.45 至 2.4v
定时 度量 涉及 水平的 (便条 10)
输入 0.8v 和 2.0v
输出 0.8v 和 2.0v
交流 波形 (注释 6, 7, 9)
地址 有效的
有效的 输出
hi-z
2V
0.8v
2V
0.8v
2V
0.8v
地址
输出
CE
OE
t
CE
2V
0.8v
(便条 3)
(便条 3)
t
DF
t
CF
(注释 4, 5)
(注释 4, 5)
t
OH
hi-z
t
OE
ACC
t
便条 1:
压力 在之上 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
便条 2:
这个 参数 是 仅有的 抽样 和 是 不 100% 测试.
便条 3:
oe 将 是 delayed 向上 至 t
ACC
- t
OE
之后 这 下落 边缘 的 ce 没有 impacting t
ACC
.
便条 4:
这 t
DF
和 t
CF
对比 水平的 是 决定 作 跟随:
高 至 触发-状态
®
, 这 量过的 v
OH1
(直流) - 0.10v;
低 至 触发-状态, 这 量过的 v
OL1
(直流) + 0.10v.
便条 5:
触发-状态 将 是 attained 使用 oe 或者 ce .
便条 6:
这 电源 切换 特性 的 eproms 需要 细致的 设备 解耦. 它 是 推荐 那 在 least 一个 0.1
µ
f 陶瓷的 电容 是 使用 在 每 设备
在 v
CC
和 地.
便条 7:
这 输出 必须 是 restricted 至 v
CC
+ 1.0v 至 避免 获得-向上 和 设备 损坏.
便条 8:
ttl 门: i
OL
= 1.6 毫安, i
OH
= -400
µ
一个.
C
L
= 100 pf 包含 fixture 电容.
便条 9:
V
PP
将 是 连接 至 v
CC
除了 在 程序编制.
便条 10:
输入 和 输出 能 undershoot 至 -2.0v 为 20 ns 最大值
ds011329-4
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