函数的 描述
(持续)
程序 核实
一个 核实 应当 是 执行 在 这 编写程序 位 至
决定 whether 它们 是 correctly programmed 这
核实 将 是 执行 和 V
PP
在 1275V V
PP
必须 是 在
V
CC
除了 在 程序编制 和 程序 verify
之后 程序编制
Opaque labels 应当 是 放置 在 这 非易失存储器 window
至 阻止 unintentional erasure Covering 这 window 将
也 阻止 temporary 函数的 失败 预定的 至 这 genera-
tion 的 photo currents
MANUFACTURER’S IDENTIFICATION 代号
这 非易失存储器 有 一个 manufacturer’s identification 代号 至 aid
在 programming 当 这 设备 是 inserted 在 一个 非易失存储器
programmer socket 这 programmer 读 这 代号 和
然后 automatically calls 向上 这 明确的 程序编制 algo-
rithm 为 这 part 这个 自动 程序编制 控制 是
仅有的 可能 和 programmers 这个 有 这 能力 的
读 这 code
这 Manufacturer’s Identification code 显示 在 表格 II
specifically identifies 这 生产者 和 设备 type 这
代号 为 NM27C256 是 ‘‘8F04’’ 在哪里 ‘‘8F’’ designates 那
它 是 制造 用 国家的 Semiconductor 和 ‘‘04’’ designates
一个 256K part
这 代号 是 accessed 用 应用 12V
g
05V 至 地址
管脚 A9 地址 A1–A8 A10–A16 和 所有 控制 管脚
是 使保持 在 V
IL
地址 管脚 A0 是 使保持 在 V
IL
为 这 manu-
facturer’s code 和 使保持 在 V
IH
为 这 设备 code 这
代号 是 读 在 这 第八 数据 pins O
0
–O
7
恰当的 代号
进入 是 仅有的 有保证的 在 25
Cto
g
5
C
ERASURE 特性
这 erasure 特性 的 这 设备 是 此类 那 era-
确信 begins 至 出现 当 exposed 至 明亮的 和 波-
长度 shorter 比 大概 4000 Angstroms (
) 它
应当 是 指出 那 sunlight 和 确实 类型 的 fluores-
cent lamps 有 wavelengths 在 这 3000
–4000
range
这 推荐 erasure 程序 为 这 非易失存储器 是 ex-
posure 至 短的 波 ultraviolet 明亮的 这个 有 一个 波-
长度 的 2537
这 整体的 剂量 (ie UV 强烈
c
暴露 时间) 为 erasure 应当 是 一个 最小 的
15w-seccm
2
这 非易失存储器 应当 是 放置 在里面 1 inch 的 这 lamp
tubes 在 erasure 一些 lamps 有 一个 过滤 在 它们的
tubes 这个 应当 是 移除 在之前 erasure 表格 III
显示 这 最小 非易失存储器 erasure 时间 为 各种各样的 明亮的
intensities
一个 erasure 系统 应当 是 校准 periodically 这
距离 从 lamp 至 设备 应当 是 maintained 在 一个
inch 这 erasure 时间 增加 作 这 正方形的 的 这 dis-
tance 从 这 lamp (如果 距离 是 doubled 这 erasure 时间
增加 用 因素 的 4) Lamps lose 强烈 作 它们 age
当 一个 lamp 是 changed 这 距离 有 changed 或者 这
lamp 有 aged 这 系统 应当 是 审查 至 制造 cer-
tain 全部 erasure 是 occurring Incomplete erasure 将 导致
symptoms 那 能 是 misleading Programmers 混合-
nents 和 甚至 系统 设计 有 被 erroneously
suspected 当 incomplete erasure 是 这 problem
系统 仔细考虑
这 电源 切换 特性 的 EPROMs 需要
细致的 解耦 的 这 devices 这 供应 current I
CC
有 三 部分 那 是 的 interest 至 这 系统 de-
signer 这 备用物品 电流 level 这 起作用的 电流 level
和 这 瞬时 电流 顶峰 那 是 生产 用 volt-
age transitions 在 输入 pins 这 巨大 的 这些 tran-
sient 电流 顶峰 是 依赖 的 这 输出 电容
加载 的 这 device 这 有关联的 V
CC
瞬时 电压
顶峰 能 是 suppressed 用 合适的 选择 解耦
capacitors 它 是 推荐 那 在 least 一个 01
m
F 陶瓷的
电容 是 使用 在 每 设备 在 V
CC
和 GND
这个 应当 是 一个 高 频率 电容 的 低 固有的
inductance 在 addition 在 least 一个 47
m
F 大(量) electrolytic
电容 应当 是 使用 在 V
CC
和 地 为 各自
第八 devices 这 大(量) 电容 应当 是 located near
在哪里 这 电源 供应 是 连接 至 这 array 这 pur-
pose 的 这 大(量) 电容 是 至 克服 这 电压 漏出
造成 用 这 inductive 影响 的 这 PC 板 traces
8
: 点此下载
