ntb125n02r, ntp125n02r
http://onsemi.com
3
4.0 v
1.8
1.6
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
10
1000
100,000
010
120
42
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.006
16012080
0.004
0.002
40 200
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
200
−50 50250−25 75 125100
0 1.60.8
016128.0 244.0
6
80
40
160
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
150
V
GS
= 0 v
I
D
= 55 一个
V
GS
= 4.5 v
0.008
0.01
0.008
0.006
0.002
0.01
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
120
0
200
80
40
160
2.4 3.2 4.0
0.004
0 1601208040 200
V
GS
= 2.5 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
20
100
8
3.0 v
10 v
3.5 v
4.5 v
5.0 v
6.0 v
8.0 v
10,000
: 点此下载
