ntb125n02r, ntp125n02r
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4
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
V
GS
1000
100
10
1.0
1000
10
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
60
50
40
30
0
10
7000
6000
10
5000
155020
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
4000
3000
2000
1000
0
5
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
Ω
)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0243216848
1 10 100 0 0.4 0.80.2 1.0
0.1 10 1001.0
I
D
= 40 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 v
V
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
20
10
0.6
C
iss
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 10 v
I
D
= 40 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
10 ms
1 ms
直流
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
V
DS
Q
2
Q
1
Q
T
40
100
100
s