ntp4302, ntb4302
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3
0 2.5
30
21
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
70
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
10
20
40
50
60
3
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
1.4
1.2
1
0.6
100
1
1000
10000
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
042610
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
DSS
, 泄漏 (na)
−50 50250−25 75 100
26
020251510 30
40
20
0
60
10
30
50
345
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (normalized)
0.8
150125
0.04
0
0.06
0.08
I
D
= 20 一个
T
J
= 25
°
C
I
D
= 20 一个
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
4.6 v
7 v
0.02
80 302010 40 70
0.01
0
0.015
0.005
50 60
1.6
0.5 1.5
V
GS
= 10 v
10
V
DS
≥
10 v
5 v
4.4 v
T
J
= 25
C
4 v
3.8 v
3.4 v
3.2 v
3 v 2.8 v