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资料编号:521646
 
资料名称:NTB4302
 
文件大小: 71.73K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts
 
 


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ntp4302, ntb4302
http://onsemi.com
4
1000
100
10
1
0
100
400
600
700
800
2
4
1
3
0
5
10 10
3000
0
c, 电容 (pf)
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
1
1000
10
100
1
100
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
t, 时间 (ns)
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
I
D
, 流 电流 (放大器)
E
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
0.1 101 100
010 30
0.5 0.70.6 0.8
15
5
10
0
25
25 1251007550 150
gate−to−source 或者 drain−to−source (伏特)
1000
2000
4000
6000
30
I
S
, 源 电流 (放大器)
20 20
0.9
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
V
GS
I
D
= 37 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 vV
DS
= 0 v T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
V
DD
= 24 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 17 一个
10 ms
1 ms
100
µ
s
10
µ
s
直流
t
f
t
d(止)
t
d(在)
t
r
V
DS
Q
2
Q
1
Q
T
1
10
5000
V
DS
20
挂载 在 2
sq. fr4 板 (1
sq. 2 oz. cu 0.06
厚 单独的 sided) 和 一个 消逝 运行, 10 s 最大值
200
300
500
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
30
24
18
12
6
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