NTD3055−094
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3
0
0.12
1612
0.08
0.04
0
82024
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
1
100
0
8
21
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.12
8
0.04
0
412
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
24
−50 50250−25 75 125100
3 4.5 8
0403020 6010
3
4
12
8 v
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 15 v
150 175
V
GS
= 0 v
I
D
= 6 一个
V
GS
= 10 v
16
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
24
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
0
24
8
16
5.5 6
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
50
10
9 v
6 v
5 v
1.8
4 5 3.5 4 5 6.5 7 7.5
0.16
16 20
2
20
7 v
6.5 v
4
0.20
0.16
1000
20
4
12
0.10
0.02
0.20
0.14
5.5 v
4.5 v
0.08
0.18
0.06
0.10
0.06
0.02
0.18
0.14
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