NTD30N02
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3
10 4030
0.03
0.02
0.01
20 50
0.04
0.07
60
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
0.01
100
08
20
21
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
254
0.01
0
36
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
60
−50 50250−25 75 125100
18
41612 248
3
10
30
8 v
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
150
V
GS
= 0 v
I
D
= 15 一个
V
GS
= 10 v
40
0.02
0.04
V
GS
= 9 v
I
D
= 15 一个
T
J
= 25
°
C
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
10
0
60
30
40
4
T
J
= 25
°
C
20
10
7 v
5 v
4 v
3.4 v
3 v
4567 2 3 5
0.03
78
0.05
0.06
50
3.6 v
4.2 v
4.6 v
5.4 v
6 v
T
J
= 25
°
C
67
20
50
9
V
GS
= 4.5 v
1
0.1
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