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NTD30N02
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4
c, 电容 (pf)
C
rss
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特)
图示 7. 电容 变化
2500
0
V
GS
V
DS
1000
500
V
GS
= 0 vV
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
1500
2000
10 5 0 5 10152025
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
Ω
)
1 10 100
1000
1
0
4
1
0
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
5
3
2
12
100
48
I
D
= 30 一个
V
DS
= 20 v
V
GS
= 4.5 v
T
J
= 25
°
C
V
DS
Q
2
Q
1
Q
T
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
10
V
DS
= 20 v
I
D
= 30 一个
V
GS
= 10 v
16
0
4
8
12
16
20
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
t, 时间 (ns)
V
GS
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
S
, 源 电流 (放大器)
15
0
0.3
drain−to−source 二极管 特性
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
0.5 0.7 1.2
3
6
9
0.9 1.1
12
10.80.60.4

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NTD30N02 http://onsemi.com 4 c, 电容 (pf) C rss gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特) 图示 7. 电容变化 2500 0 V GS V DS 1000 500 V GS = 0 vV DS = 0 v T J = 25 ° C C iss C oss C rss C iss 1500 2000 10 5 0 5 10152025 图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗 R G , 门阻抗 ( Ω ) 1 10 100 1000 1 0 4 1 0 Q G , 总的门承担 (nc) 5 3 2 12 100 48 I D = 30 一个 V DS = 20 v V GS = 4.5 v T J = 25 ° C V DS Q 2 Q 1 Q T t r t d(止) t d(在) t f 10 V DS = 20 v I D = 30 一个 V GS = 10 v 16 0 4 8 12 16 20 V GS , gate−to−source 电压 (伏特) t, 时间 (ns) V GS V DS , drain−to−source 电压 (伏特) I S , 源电流 (放大器) 15 0 0.3 drain−to−source 二极管特性 V SD , source−to−drain 电压 (伏特) V GS = 0 v T J = 25 ° C 图示 10. 二极管向前电压相比电流 0.5 0.7 1.2 3 6 9 0.9 1.1 12 10.80.60.4

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