NTD4302
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4
1.6
1.4
1
1.2
0.8
0.6
10
1
100
1000
10000
40
20
50
10
30
0
60
0.005
0
30
21.51
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.1
0.075
0.05
0.025
4
0
26810
图示 3. on−resistance vs.
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
图示 4. on−resistance vs. 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏
电流 vs. 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
I
DSS
, 泄漏 (na)
50
−50 100750−25 125 150
23 6
0.00e+00
1.00e+01
0
0.01
0.015
525201510 30
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
10
20
40
2.5 3
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 18.5 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 10 一个
T
J
= 25
°
C
V
DS
> = 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 7 v
V
GS
= 5 v
V
GS
= 4.6 v
V
GS
= 4 v
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
V
GS
= 4.4 v
V
GS
= 3.8 v
V
GS
= 3.4 v
V
GS
= 3.2 v
V
GS
= 3.0 v
T
J
= 25
°
C
5025
45
V
GS
= 2.8 v
0.5
2.00e+01 3.00e+01 4.00e+01 5.00e+01 6.00e+01
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