NTD4302
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5
V
GS
V
DS
5
10
7.5
0
12.5
10
10
4000
20100
c, 电容 (pf)
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 vs. 总的 承担
V
GS
, gate−to−source− 电压 (v)
1
1000
100
10
10 100
图示 9. resistive 切换 时间 变化
vs. 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
Ω
)
图示 10. 二极管 向前 电压 vs. 电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
6000
010 60
0.5 0.90.80.70.6 1
15
5
0
20
25
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
2000
3000
5000
30
2.5
I
D
= 2 一个
T
J
= 25
°
C
Q
2
Q
1
V
GS
Q
T
V
DD
= 24 v
I
D
= 18.5 一个
V
GS
= 10 v
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
20 30 40 50
1000
V
D
15
25
20
0
30
10
V
DS
, drain−to−source− 电压 (v)
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