NUD3112
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2
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指定)
标识
比率 值 单位
V
DSS
流 至 源 电压 – 持续的 14 V
直流
V
GS
门 至 源 电压 – 持续的 6 V
直流
I
D
流 电流 – 持续的 500 毫安
E
z
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche 活力 (
T
Jinitial
=
25
°
c)
50 mJ
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
一个
运行 包围的 温度 −40 至 85
°
C
T
stg
存储 温度 范围 −65 至 +150
°
C
P
D
总的 电源 消耗 (便条 1) SOT−23
减额 在之上 25
°
C
225
1.8
mW
mw/
°
C
P
D
总的 电源 消耗 (便条 1) SC−74
减额 在之上 25
°
C
380
3.0
mW
mw/
°
C
R
JA
热的 阻抗 junction−to−ambient (便条 1) SOT−23
SC−74
556
329
°
c/w
静电释放 人 身体 模型 (hbm) 符合 至 eia/jesd22/a114 2000 V
1. 挂载 面向 最小 垫子 板.
典型 电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识
典型的 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
V
BRDSS
流 至 源 sustaining 电压 (内部 clamped)
(i
D
= 10 毫安)
14 16 17 V
B
VGSO
I
g
= 1.0 毫安 − − 8 V
I
DSS
流 至 源 泄漏 电流
(v
DS
= 12 v , v
GS
= 0 v, t
一个
= 25
°
c)
(v
DS
= 12 v, v
GS
= 0 v, t
一个
= 85
°
c)
−
−
−
−
20
40
一个
I
GSS
门 身体 泄漏 电流
(v
GS
= 3.0 v, v
DS
= 0 v)
(v
GS
= 5.0 v, v
DS
= 0 v)
−
−
−
−
35
65
一个
在 特性
V
gs(th)
门 门槛 电压
(v
GS
= v
DS
, i
D
= 1.0 毫安)
(v
GS
= v
DS
, i
D
= 1.0 毫安, t
一个
= 85
°
c)
0.8
0.8
1.2
−
1.4
1.4
V
R
ds(在)
流 至 源 on−resistance
(i
D
= 250 毫安, v
GS
= 3.0 v)
(i
D
= 500 毫安, v
GS
= 3.0 v)
(i
D
= 500 毫安, v
GS
= 5.0 v)
(i
D
= 500 毫安, v
GS
= 3.0 v, t
一个
=85
°
c)
(i
D
= 500 毫安, v
GS
= 5.0 v, t
一个
=85
°
c)
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
1.2
1.3
0.9
1.3
0.9
I
ds(在)
输出 持续的 电流
(v
DS
= 0.25 v, v
GS
= 3.0 v)
(v
DS
= 0.25 v, v
GS
= 3.0 v, t
一个
= 85
°
c)
300
200
400
−
−
−
毫安
g
FS
向前 跨导
(v
输出
= 12.0 v, i
输出
= 0.25 一个)
350 490 − mmhos
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