NUD3112LT1G_集成电路资料查询网

NUD3112
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5
典型 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指定)
I
D
, 流 电流 (一个)
0.4
1.2
0.05 0.10 0.15 0.20 0.30
125
°
C
0.35
图示 8. on−resistance vs. 流 电流 和
温度
图示 9. 门 泄漏 vs. 温度
1.1
0.9
0.8
0.25
45
35
25
10
0
−50 −25 25 75 1250
30
15
温度 (
°
c)
50 100
V
GS
= 3.0 v
V
GS
= 5.0 v
1
0.7
0.6
0.5
0.45 0.500.40
85
°
C
25
°
C
−40
°
C
40
5
20
V
GS
= 3.0 v
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (

)
I
GSS
, 门 泄漏 (

一个)
图示 10. 典型 应用 电路
+12V
1.0 k
300 k
+5v / 3.3v
静电释放 齐纳
接转
静电释放 齐纳
clamp 齐纳
clamp 齐纳
逻辑

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NUD3112 http://onsemi.com 5 典型效能曲线 (t J = 25 ° c 除非否则指定) I D , 流电流 (一个) 0.4 1.2 0.05 0.10 0.15 0.20 0.30 125 ° C 0.35 图示 8. on−resistance vs. 流电流和温度图示 9. 门泄漏 vs. 温度 1.1 0.9 0.8 0.25 45 35 25 10 0 −50 −25 25 75 1250 30 15 温度 ( ° c) 50 100 V GS = 3.0 v V GS = 5.0 v 1 0.7 0.6 0.5 0.45 0.500.40 85 ° C 25 ° C −40 ° C 40 5 20 V GS = 3.0 v R ds(在) , drain−to−source 阻抗 (  ) I GSS , 门泄漏 (  一个) 图示 10. 典型应用电路 +12V 1.0 k 300 k +5v / 3.3v 静电释放齐纳接转静电释放齐纳 clamp 齐纳 clamp 齐纳逻辑

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