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资料编号:526752
 
资料名称:P121
 
文件大小: 32.86K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
25A
PASSIVATED 聚集 电路 elements
p100 序列
1
公告 i27125 rev. 一个 04/99
www.irf.com
I
D
25 一个
@ t
C
85 °C
I
FSM
@
50Hz 357 一个
@ 60hz 375 一个
I
2
t@
50Hz 637 一个
2
s
@ 60hz 580 一个
2
s
I
2
t 6365 一个
2
s
V
RRM
400 至 1200 V
V
INS
2500 V
T
J
- 40 至 125 °C
参数 P100 单位
主要的 比率 和 特性
特性
glass 钝化的 汇合处 为 更好 可靠性
有 向上 至 1200 v
RRM
, v
DRM
高 动态 特性
宽 选择 的 电路 配置
simplified 机械的 设计 和 组装
ul e78996 批准
描述
这 p100 序列 的 整体的 电源 电路
组成 的 电源 thyristors 和 电源 二极管
配置 在 一个 单独的 包装. 和 它的 isolating
根基 加设护板, 机械的 设计 是 非常 simpli-
fied 给 有利因素 的 费用 减少 和
减少 大小.
产品 包含 电源 供应, 控制 cir-
cuits 和 电池 chargers.
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