8-mbit smartvoltage 激励 块 flash 记忆 家族
E
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产品 预告(展)
表格2.28f800/008b 管脚 描述
(持续)
标识 类型 名字 和 函数
WP# 输入
写 保护:
提供 一个 方法 为 unlocking 这
激励 块 在 一个 系统 没有 一个 12v 供应.
当 wp# 是 在 逻辑 低, 这 激励 块 是 锁
,
阻止 程序 和 擦掉 行动 至 这 激励 块. 如果
一个 程序 或者 擦掉 运作 是 attempted 在 这 激励 块
当 wp# 是 低, 这 相应的 状态 位 (位 4 为
程序, 位 5 为 擦掉) 将 是 设置 在 这 状态 寄存器 至
表明 这 运作 failed.
当 wp# 是 在 逻辑 高, 这 激励 块 是 unlocked
和
能 是 编写程序 或者 erased.
便条:
这个 特性 是 overridden 和 这 激励 块
unlocked 当 rp# 是 在 v
HH
. 这个 管脚 是 不 有 在 这
44-含铅的 psop 包装. 看 部分 3.4 为 详细信息 在 写
保护.
BYTE# 输入
byte# 使能:
不 有 在
28F008B
. 控制
whether 这 设备 运作 在 这 字节-宽 模式 (x8) 或者
这 文字-宽 模式 (x16). byte# 管脚 必须 是 控制 在
cmos 水平 至 满足 这 cmos 电流 规格 在 这
备用物品 模式.
当 byte# 是 在 逻辑 低, 这 字节-宽 模式 是
使能
, 在哪里 数据 是 读 和 编写程序 在 dq
0
–DQ
7
和 dq
15
/一个
–1
变为 这 最低 顺序 地址 那 decodes
在 这 upper 和 更小的 字节. dq
8
–DQ
14
是 触发-陈述
在 这 字节-宽 模式.
当 byte# 是 在 逻辑 高, 这 文字-宽 模式 是
使能
, 在哪里 数据 是 读 和 编写程序 在 dq
0
–DQ
15
.
V
CC
设备 电源 供应:
5.0v
±
10%, 3.3v
±
0.3v,
2.7v–3.6v
V
PP
程序/擦掉 电源 供应:
为 erasing
记忆 排列 blocks 或者 程序编制 数据 在 各自 块, 一个
电压 也 的 5v
±
10% 或者 12v
±
5% 必须 是 应用 至
这个 管脚. 当 v
PP
< v
PPLK
所有 blocks 是 锁 和
保护 相反 程序 和 擦掉 commands.
地
地面:
为 所有 内部的 电路系统.
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