sbas323d −六月 2004 − 修订 九月 2005
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数字的 特性: dv
DD
= 2.7v 至 5.25v
所有 规格 从 t
最小值
至 t
最大值
, fmcon = 10h, 所有 数字的 输出 高, pdcon = 00h (所有 peripherals 在) 或者 pdcon = ffh (all peripherals off), psen和
ale 使能 (所有 peripherals 在) 或者 psen
和 ale 无能 (所有 peripherals 止), 除非 否则 指定.
msc1211/12/13/14
参数 情况
最小值 典型值 最大值
单位
数字的 电源-供应 (所需的)东西
DV
DD
2.7 3 3.6 V
正常的模式, f
OSC
= 1mhz, peripherals 止 0.9 毫安
正常的 模式, f
OSC
= 1mhz, peripherals 在 1.1 毫安
数字的 电源-供应 电流
正常的 模式, f
OSC
= 8mhz, peripherals 止 5.7 毫安
数字的 电源-供应 电流
正常的 模式, f
OSC
= 8mhz, peripherals 在 7.5 毫安
结晶 运作 停止 模式
(1)
100 nA
DV
DD
4.75 5 5.25 V
正常的 模式, f
OSC
= 1mhz, peripherals 止 1.7 毫安
正常的 模式, f
OSC
= 1mhz, peripherals 在 2.4 毫安
数字的 电源-供应 电流
正常的 模式, f
OSC
= 8mhz, peripherals 止 11 毫安
数字的 电源-供应 电流
正常的 模式, f
OSC
= 8mhz, peripherals 在 14.8 毫安
结晶 运作 停止 模式
(1)
100 nA
数字的 输入/输出 (cmos)
逻辑 水平的
V
IH
(除了 xin 管脚) 0.6
•
DV
DD
DV
DD
V
逻辑 水平的
V
IL
(除了 xin 管脚) DGND 0.2
•
DV
DD
V
i/o 管脚 hysteresis 700 mV
端口 0−3, 输入 泄漏 电流, 输入 模式 V
IH
= dv
DD
或者 v
IH
= 0v < 1 pA
管脚 ea, rst 输入 泄漏 电流 < 1 pA
V
OL
, ale, psen, 端口 0−3, 所有 输出 模式
I
OL
= −1ma DGND 0.4 V
V
OL
, ale, psen, 端口 0−3, 所有 输出 模式
I
OL
= −30ma (5v), −20ma (3v) 1.5 V
V
OH
, ale, psen, 端口 0−3, 强 驱动 输出
I
OH
= 1ma DV
DD
− 0.4 DV
DD
− 0.1 DV
DD
V
V
OH
, ale, psen, 端口 0−3, 强 驱动 输出
I
OH
= 30ma (5v), 20ma (5v) DV
DD
− 1.5 V
端口 0−3, 拉-向上 电阻器 9 k
Ω
管脚 ale, psen, 拉-向上 电阻器 在 重置 flash 程序编制 模式 仅有的 9 k
Ω
振荡器/时钟 输入/输出
外部 振荡器/时钟
V
IH
(除了 xin 管脚) xout 必须 是 unconnected 0.6
•
DV
DD
DV
DD
V
外部 振荡器/时钟
V
IL
(除了 xin 管脚) xout 必须 是 unconnected DGND 0.2
•
DV
DD
V
(1)
数字的 brownout 发现 无能 (hcr1.2 = 1), 低 电压 发现 无能 (lvdcon.3 = 1). 端口 配置 为 输入 或者 cmos output.
flash 记忆 特性: dv
DD
= 2.7v 至 5.25v
msc1211/12/13/14
参数 情况
最小值 典型值 最大值
单位
flash 记忆 忍耐力 100,000 1,000,000 循环
flash 记忆 数据 保持 100 年
mass 和 页 擦掉 时间 设置 和 fer 在 ftcon 10 ms
flash 记忆 写 时间 设置 和 fwr 在 ftcon 30 40
µ
s
flash 程序编制 电流
(1)
DV
DD
= 3.0v 10 毫安
flash 程序编制 电流
(1)
DV
DD
= 5.0v 25 毫安
(1)
顶峰 电流 在 mass 和 页 擦掉 时间 和 记忆 写 时间.
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