关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:54022
资料名称:
IRGB4B60KD1
文件大小: 377.18K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irgb/s/sl4b60kd1
www.irf.com
5
图. 10
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 25°c
图. 9
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= -40°c
图. 12
- 典型值 转移 特性
V
CE
= 360v; tp = 10µs
图. 11
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 150°c
5
101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 2.0a
I
CE
= 4.0a
I
CE
= 8.0a
5
101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 2.0a
I
CE
= 4.0a
I
CE
= 8.0a
5101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 2.0a
I
CE
= 4.0a
I
CE
= 8.0a
0
5
10
15
20
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
0
5
10
15
20
25
30
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com