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资料编号:54022
 
资料名称:IRGB4B60KD1
 
文件大小: 377.18K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irgb/s/sl4b60kd1
www.irf.com 5
图. 10
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 25°c
图. 9
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= -40°c
图. 12
- 典型值 转移 特性
V
CE
= 360v; tp = 10µs
图. 11
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 150°c
5 101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 2.0a
I
CE
= 4.0a
I
CE
= 8.0a
5 101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 2.0a
I
CE
= 4.0a
I
CE
= 8.0a
5101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 2.0a
I
CE
= 4.0a
I
CE
= 8.0a
0 5 10 15 20
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
0
5
10
15
20
25
30
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
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