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资料编号:54022
 
资料名称:IRGB4B60KD1
 
文件大小: 377.18K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irgb/s/sl4b60kd1
6 www.irf.com
图. 14
- 典型值 切换 时间 vs. i
C
T
J
= 150°c; l=2.5mh; v
CE
= 400v
R
G
= 100
; v
GE
= 15v
图. 13
- 典型值 活力 丧失 vs. i
C
T
J
= 150°c; l=2.5mh; v
CE
= 400v,
R
G
= 100
; v
GE
= 15v
图. 16
- 典型值 切换 时间 vs. r
G
T
J
= 150°c; l=2.5mh; v
CE
= 400v
I
CE
= 4.0a; v
GE
= 15v
图. 15
- 典型值 活力 丧失 vs. r
G
T
J
= 150°c; l=2.5mh; v
CE
= 400v
I
CE
= 4.0a; v
GE
= 15v
12345678910
I
C
(一个)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
n
e
r
g
y
(
µ
J
)
E
E
0 100 200 300 400 500
R
G
(
)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
n
e
r
g
y
(
µ
J
)
E
E
0 2 4 6 8 10
I
C
(一个)
1
10
100
1000
S
w
i
c
h
i
n
g
T
i
m
e
(
n
s
)
t
R
td
t
F
td
0 100 200 300 400 500
R
G
(
)
10
100
1000
S
w
i
c
h
i
n
g
T
i
m
e
(
n
s
)
t
R
td
t
F
td
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