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资料编号:541426
 
资料名称:PBSS5240Y
 
文件大小: 49.19K
   
说明
 
介绍:
40 V low VCEsat PNP transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002 二月 28 2
飞利浦 半导体 产品 规格
40 v 低 v
CEsat
pnp 晶体管
PBSS5240Y
特性
低 集电级-发射级 饱和 电压
高 电流 能力
改进 设备 可靠性 预定的 至 减少 热温
一代
替换 为 sot89/sot223 标准 packaged
晶体管 预定的 至 增强 效能.
产品
供应 线条 切换 电路
电池 管理 产品
直流/直流 转换器 产品
strobe flash 单位
重的 职责 电池 powered 设备 (发动机 lamp
驱动器).
描述
pnp 低 v
CEsat
晶体管 在 一个 sot363 (sc-88) 塑料
包装.
npn complement: pbss4240y.
标记
便条
1. * = p: 制造 在 hongkong.
* = t: 制造 在 马来西亚.
类型 号码 标记 代号
(1)
PBSS5240Y 52*
固定
管脚 描述
1 集电级
2 集电级
3 根基
4 发射级
5 集电级
6 集电级
handbook, halfpage
MAM464
123
654
顶 视图
3
4
1, 2, 5, 6
图.1 simplified 外形 (sot363; sc-88) 和
标识.
快 涉及 数据
标识 参数 最大值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压
40 V
I
CM
顶峰 集电级 电流
3A
I
C
集电级 电流 (直流)
2A
R
CEsat
相等的 在-阻抗 <200 m
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