PBSS5240Y_集成电路资料查询网

2002 二月 28 4
飞利浦 半导体 产品 规格
40 v 低 v
CEsat
pnp 晶体管
PBSS5240Y
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=
−
30 v; i
E
=0
−−
100 nA
V
CB
=
−
30 v; i
E
= 0; t
j
= 150
°
C
−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=
−
4 v; i
C
=0
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
100 毫安 300
−
V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
500 毫安 260
−
V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
1000 毫安 210
−
V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
2000 毫安 100
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
1mA
−−
100 mV
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
110 mV
I
C
=
−
750 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
225 mV
I
C
=
−
1000 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
225 mV
I
C
=
−
2000 毫安; i
B
=
−
200 毫安
−−
350 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
2000 毫安; i
B
=
−
200 毫安
−−
1.1 V
V
BEon
根基-发射级 转变-在 电压 V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
100 毫安
−−
0.75 V
C
c
集电级 电容 V
CB
=
−
10 v; i
E
=I
e
= 0; f = 1 MHz
−
40 pF
F
T
转变 频率 I
C
=
−
100 毫安; v
CE
=
−
10 v; f = 100 MHz 100
−
MHz

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2002 二月 28 4 飞利浦半导体产品规格 40 v 低 v CEsat pnp 晶体管 PBSS5240Y 特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值最大值单位 I CBO 集电级-根基截-止电流 V CB = − 30 v; i E =0 −− 100 nA V CB = − 30 v; i E = 0; t j = 150 ° C −− 50 µ 一个 I EBO 发射级-根基截-止电流 V EB = − 4 v; i C =0 −− 100 nA h FE 直流电流增益 V CE = − 2 v; i C = − 100 毫安 300 − V CE = − 2 v; i C = − 500 毫安 260 − V CE = − 2 v; i C = − 1000 毫安 210 − V CE = − 2 v; i C = − 2000 毫安 100 − V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 100 毫安; i B = − 1mA −− 100 mV I C = − 500 毫安; i B = − 50 毫安 −− 110 mV I C = − 750 毫安; i B = − 15 毫安 −− 225 mV I C = − 1000 毫安; i B = − 50 毫安 −− 225 mV I C = − 2000 毫安; i B = − 200 毫安 −− 350 mV V BEsat 根基-发射级饱和电压 I C = − 2000 毫安; i B = − 200 毫安 −− 1.1 V V BEon 根基-发射级转变-在电压 V CE = − 2 v; i C = − 100 毫安 −− 0.75 V C c 集电级电容 V CB = − 10 v; i E =I e = 0; f = 1 MHz − 40 pF F T 转变频率 I C = − 100 毫安; v CE = − 10 v; f = 100 MHz 100 − MHz

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