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资料编号:542511
 
资料名称:PC923
 
文件大小: 86.43K
   
说明
 
介绍:
High Speed Photocoupler for MOS-FET / IGBT Drive
 
 


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PC923
10
20
60
50
40
30
0
1251007550250-25 80
图.10 向前 电流 vs.
包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
0
600
0 25 50 75 100 125
500
400
300
100
200
80
图.11 电源 消耗 vs.
包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
0.7
相关的 门槛 输入 电流
0.8
0.9
1.2
18 21 3015 24
1.1
1.0
27
供应 电压 v
CC
(
V
)
1.0
0.01
0.1
1
10
100
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
向前 电压 v
F
(
V
)
向前 电压
图.12 向前 电流 vs.
0.6
相关的 门槛 输入 电流
0.8
1.6
0 25 50 100-25 75
1.4
1.2
1.0
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
0.005
0.01 0.1 1.00.02 0.05 0.2 0.5
0.01
0.02
0.05
图.15 o
1
低 水平的 输出 电压 vs.
O
1
输出 电流
-40
P
O
P
tot
在 v
CC
= 24V
I
FLH
=1
T
一个
= 25˚C
图.14
相关的 门槛
输入 电流 vs. 包围的 温度
图.13
相关的 门槛
输入 电流 vs. 供应 电压
V
CC
= 24V
I
FLH
=1
在 t
一个
= 25˚C
V
CC1
= 12V
V
CC2
= - 12V
I
F
= 5mA
T
一个
= 25˚C
0.4
0.1
0.2
电源 消耗 p
O
, p
tot
(
mW
)
向前 电流 i
F
(
毫安
)
向前 电流 i
F
(
毫安
)
O
1
低 水平的 输出 电压 v
(
V
)
O
1
输出 电流 i
O1
(
一个
)
O1L
50˚C
25˚C
70˚C
T
一个
= 0˚C
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