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资料编号:542511
 
资料名称:PC923
 
文件大小: 86.43K
   
说明
 
介绍:
High Speed Photocoupler for MOS-FET / IGBT Drive
 
 


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5

6
 
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PC923
4
15
14
3018 21 24 27
6
8
10
12
25˚C
80˚C
供应 电压
低 水平的 供应 电流 i
CCL
(
毫安
)
供应 电压 v
CC
(
V
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
图.23 传播 延迟 时间 vs.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 255075100-25
包围的 温度
图.24 传播 延迟 时间 vs.
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
应用 电路
(
为 电源 mos-场效应晶体管 驱动 反相器
)
Cathode
Anode
+
O
2
O
1
V
CC
+
ttl, microcomputer, 等
(
+
)
(
-
)
电源 供应
PC923
V
CC1
=
12V
V
CC2
=
12V
UVW
T
一个
= - 25˚C
t
PLH
t
PHL
V
CC
= 24V
R
G
=47
C
G
I
F
= 5mA
传播 延迟 时间 t
PHL
, t
PLH
(
µ
s
)
传播 延迟 时间 t
PHL
, t
PLH
图.22 低 水平的 供应 电流 vs.
forwrad 电流 i
F
(
毫安
)
V
CC
= 24V
R
G
=47
0 5 10 15 20 25
(
µ
s
)
75˚C
T
一个
= - 25˚C
25˚C
- 25˚C
25˚C
T
一个
= 75˚C
t
PHL
t
PLH
forwrad 电流
C
G
= 3 000pf
= 3 000pf
请 谈及 至 这 chapter 预防措施 为 使用.”
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