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产品 数据 薄板 rev. 02 — 27 将 2004 3 的 11
飞利浦 半导体
PESD5V0S2BT
低 电容 bi-directional 翻倍 静电释放 保护 二极管
[1] 设备 stressed 和 ten 非-repetitive electro 静态的 释放 (静电释放) 脉冲; 看 图示 2.
[2] 量过的 在 管脚 1 至 3 或者 管脚 2 至 3.
表格 6: 静电释放 最大 比率
标识 参数 情况 值 单位
静电释放 electro 静态的
释放 能力
iec 61000-4-2 (联系
释放)
[1] [2]
30 kV
hbm mil-标准 883 10 kV
表格 7: 静电释放 standards 遵从
标准 情况
iec 61000-4-2; 水平的 4 (静电释放); 看
图示 2 > 15 kv (空气); > 8 kv (联系)
hbm mil-标准 883; 类 3 > 4 kv
图 1. 8/20
µ
s 脉冲波 波形 符合 至
IEC 61000-4-5.
图 2. 静电的 释放 (静电释放) 脉冲波 波形
符合 至 iec 61000-4-2.
t (
µ
s)
0403010 20
001aaa630
40
80
120
I
pp
(%)
0
e
−
t
100 % i
pp
; 8
µ
s
50 % i
pp
; 20
µ
s
001aaa631
I
pp
100 %
90 %
t
30 ns
60 ns
10 %
t
r
=
0.7 至 1 ns