PESD5V0S2BT_集成电路资料查询网

1. 产品 proﬁle
1.1 一般 描述
低 电容 bi-directional 翻倍 静电释放 保护 二极管 在 这 小 sot23 塑料
包装 设计 至 保护 2 数据 线条 从 这 损坏 造成 用 electro 静态的
释放 (静电释放) 和 其它 过往旅客.
1.2 特性
■
bi-directional 静电释放 保护 的 2 线条
■
低 二极管 电容
■
最大值 顶峰 脉冲波 电源: p
pp
= 130 w 在 t
p
= 8/20
µ
s
■
低 夹紧 电压: v
cl(r)
= 14 v 在 i
pp
= 12 一个
■
过激 低 泄漏 电流: i
RM
= 5 na 在 v
RWM
= 5 v
■
静电释放 保护 > 30 kv
■
iec 61000-4-2; 水平的 4 (静电释放)
■
iec-61000-4-5 (surge); i
pp
= 12 一个 在 t
p
= 8/20
µ
s.
1.3 产品
■
cellular handsets 和 accessories
■
可携带的 electronics
■
计算机 和 peripherals
■
交流 系统
■
音频的 和 video 设备.
1.4 快 涉及 数据
PESD5V0S2BT
低 电容 bi-directional 翻倍 静电释放 保护 二极管
在 sot23 包装
rev. 02 — 27 将 2004 产品 数据 薄板
表格 1: 快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
V
RWM
反转 保卫-止 电压 - 5 - V
C
d
二极管 电容 f = 1 mhz;
V
R
=0V
-35-pf
号码 的 保护 线条 - 2 -

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1. 产品 proﬁle 1.1 一般描述低电容 bi-directional 翻倍静电释放保护二极管在这小 sot23 塑料包装设计至保护 2 数据线条从这损坏造成用 electro 静态的释放 (静电释放) 和其它过往旅客. 1.2 特性 ■ bi-directional 静电释放保护的 2 线条 ■ 低二极管电容 ■ 最大值顶峰脉冲波电源: p pp = 130 w 在 t p = 8/20 µ s ■ 低夹紧电压: v cl(r) = 14 v 在 i pp = 12 一个 ■ 过激低泄漏电流: i RM = 5 na 在 v RWM = 5 v ■ 静电释放保护 > 30 kv ■ iec 61000-4-2; 水平的 4 (静电释放) ■ iec-61000-4-5 (surge); i pp = 12 一个在 t p = 8/20 µ s. 1.3 产品 ■ cellular handsets 和 accessories ■ 可携带的 electronics ■ 计算机和 peripherals ■ 交流系统 ■ 音频的和 video 设备. 1.4 快涉及数据 PESD5V0S2BT 低电容 bi-directional 翻倍静电释放保护二极管在 sot23 包装 rev. 02 — 27 将 2004 产品数据薄板表格 1: 快涉及数据标识参数情况最小值 Typ 最大值单位 V RWM 反转保卫-止电压 - 5 - V C d 二极管电容 f = 1 mhz; V R =0V -35-pf 号码的保护线条 - 2 -

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