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产品 数据 薄板 rev. 03 — 17 12月 2004 4 的 15
飞利浦 半导体
pesd5v0s1ba/bb/bl
低 电容 双向的 静电释放 保护 二极管
图 1. 8/20
µ
s 脉冲波 波形 符合 至
iec 61000-4-5
图 2. 静电的 释放 (静电释放) 脉冲波 波形
符合 至 iec 61000-4-2
010
e
−
t
20
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µ
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I
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9397 750 14036 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有权利保留. 产品数据薄板 rev. 03 — 17 12月 2004 4 的 15 飞利浦半导体 pesd5v0s1ba/bb/bl 低电容双向的静电释放保护二极管图 1. 8/20 µ s 脉冲波波形符合至 iec 61000-4-5 图 2. 静电的释放 (静电释放) 脉冲波波形符合至 iec 61000-4-2 010 e − t 20 t ( µ s) I pp (%) 40 120 0 40 80 30 mle218 100 % i pp ; 8 µ s 50 % i pp ; 20 µ s 001aaa191 I pp 100 % 90 % t 30 ns 60 ns 10 % t r = 0.7 至 1 ns

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